- Nr art. RS:
- 739-4945
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi
2 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
30 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
26,55 zł
(bez VAT)
32,66 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit |
1 - 4 | 26,55 zł |
5 - 9 | 25,79 zł |
10 - 14 | 25,20 zł |
15 - 19 | 24,39 zł |
20 + | 23,90 zł |
- Nr art. RS:
- 739-4945
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 120 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 600 W |
Typ opakowania | TO-247AB |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 739-4945
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi