IGBT FGH60N60SMD, Ic 120 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247AB, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora 120 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V
Maksymalna strata mocy 600 W
Typ opakowania TO-247AB
Typ montażu Otwór przezierny
Typ kanału N
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Długość 15.6mm
Szerokość 4.7mm
Wysokość 20.6mm
Wymiary 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Maksymalna temperatura robocza +175°C
72 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
154 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt.
18,91
(bez VAT)
23,26
(z VAT)
Sztuki
Per unit
1 - 5
18,91 zł
6 - 14
17,94 zł
15 +
16,96 zł
Rodzaj opakowania: