IGBT Ic 120 A Uce 600 V TO-247AB Pojedynczy kanał: N 600 W
- Nr art. RS:
- 739-4945
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi
2 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
32 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
26,55 zł
(bez VAT)
32,66 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 26,55 zł |
| 5 - 9 | 25,79 zł |
| 10 - 14 | 25,20 zł |
| 15 - 19 | 24,39 zł |
| 20 + | 23,90 zł |
- Nr art. RS:
- 739-4945
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 120 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 600 W |
| Typ opakowania | TO-247AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 739-4945
- Nr części producenta:
- FGH60N60SMD
- Producent:
- onsemi