IGBT IHW30N160R2FKSA1, Ic 60 A, Uce 1600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, Infineon Pojedynczy

  • Nr art. RS 752-8334
  • Nr części producenta IHW30N160R2FKSA1
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600

Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposażonych w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.

• Zakres napięcia kolektora od 1100 do 1600 V.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.

Moduł IDBT - moduł Infineon

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora 60 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 1600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter ±20V
Maksymalna strata mocy 312 W
Typ opakowania TO-247
Typ montażu Otwór przezierny
Typ kanału N
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Długość 16.13mm
Szerokość 5.21mm
Wysokość 21.1mm
Wymiary 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Maksymalna temperatura robocza +175 °C
Minimalna temperatura robocza -40 °C
148 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
460 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt.
22,29
(bez VAT)
27,42
(z VAT)
Sztuki
Per unit
1 - 9
22,29 zł
10 +
13,19 zł
Rodzaj opakowania: