IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy 428 W

Nr art. RS:: 754-5402P
Nr części producenta:: IKW75N60TFKSA1
Producent:: Infineon

IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy 428 W

216 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Cena netto szt. (w tubie)

29,95 zł

(bez VAT)

36,84 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę
5 - 9	29,95 zł
10 - 14	28,97 zł
15 - 19	28,07 zł
20 +	27,52 zł

Nr art. RS:: 754-5402P
Nr części producenta:: IKW75N60TFKSA1
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V.

Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.

• Zakres napięć kolektora-emitera od 600 do 650V.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.

.

Moduł IDBT - moduł Infineon

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora	80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter	±20V
Maksymalna strata mocy	428 W
Typ opakowania	TO-247
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Wymiary	16.03 x 21.1 x 5.16mm
Minimalna temperatura robocza	-40 °C
Maksymalna temperatura robocza	+175 °C