IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-3PF Pojedynczy 58 W
- Nr art. RS:
- 792-5779
- Nr części producenta:
- STGFW30V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics
72 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
11,55 zł
(bez VAT)
14,20 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 11,55 zł | 23,09 zł |
| 10 - 18 | 10,98 zł | 21,96 zł |
| 20 - 48 | 9,86 zł | 19,71 zł |
| 50 - 98 | 8,87 zł | 17,73 zł |
| 100 + | 8,44 zł | 16,88 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 792-5779
- Nr części producenta:
- STGFW30V60DF
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 58 W |
| Typ opakowania | TO-3PF |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.7 x 5.7 x 26.7mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |