IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W
- Nr art. RS:
- 796-5064P
- Nr części producenta:
- GT50JR22
- Producent:
- Toshiba
323 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (w tubie)
14,63 zł
(bez VAT)
17,99 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 10 - 49 | 14,63 zł |
| 50 - 124 | 14,27 zł |
| 125 - 249 | 14,13 zł |
| 250 + | 13,82 zł |
- Nr art. RS:
- 796-5064P
- Nr części producenta:
- GT50JR22
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Moduł IGBT dyskretes Toshiba
.
Moduł IGBT, moduł i moduły, Toshiba
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 50 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±25V |
| Maksymalna strata mocy | 230 W |
| Typ opakowania | TO-3P |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
- Nr art. RS:
- 796-5064P
- Nr części producenta:
- GT50JR22
- Producent:
- Toshiba