IGBT Ic 100 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 450 W
- Nr art. RS:
- 804-7616
- Nr części producenta:
- IXDN55N120D1
- Producent:
- IXYS
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt.
156,74 zł
(bez VAT)
192,79 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 1 | 156,74 zł |
| 2 - 4 | 152,46 zł |
| 5 - 9 | 148,37 zł |
| 10 - 29 | 144,63 zł |
| 30 + | 140,94 zł |
- Nr art. RS:
- 804-7616
- Nr części producenta:
- IXDN55N120D1
- Producent:
- IXYS
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskrety IGBT IXYS
.
Dyskretne moduły IGBT, IXYS
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 100 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 450 W |
| Typ opakowania | SOT-227B |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 4 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |