- Nr art. RS:
- 804-7616
- Nr części producenta:
- IXDN55N120D1
- Producent:
- IXYS
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 24.06.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
156,74 zł
(bez VAT)
192,79 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit |
1 - 1 | 156,74 zł |
2 - 4 | 152,46 zł |
5 - 9 | 148,37 zł |
10 - 29 | 144,63 zł |
30 + | 140,94 zł |
- Nr art. RS:
- 804-7616
- Nr części producenta:
- IXDN55N120D1
- Producent:
- IXYS
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskrety IGBT IXYS
.
Dyskretne moduły IGBT, IXYS
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 100 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 450 W |
Typ opakowania | SOT-227B |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 4 |
Szybkość przełączania | 1MHz |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
Minimalna temperatura robocza | -40°C |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 804-7616
- Nr części producenta:
- IXDN55N120D1
- Producent:
- IXYS