IGBT Ic 50 A Uce 365 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 165 W
- Nr art. RS:
- 805-1753P
- Nr części producenta:
- NGB8207ABNT4G
- Producent:
- Littelfuse
240 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie
8,35 zł
(bez VAT)
10,27 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 5 + | 8,35 zł |
- Nr art. RS:
- 805-1753P
- Nr części producenta:
- NGB8207ABNT4G
- Producent:
- Littelfuse
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Moduł IGBT Elementy dyskretne, ON Semiconductor
Izolowane tranzystory bipolarne (IGBT) do napędu silnika i innych zastosowań związanych z przełączaniem pod wysokim napięciem.
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne, ON Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 50 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 365 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±15V |
| Maksymalna strata mocy | 165 W |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |