IGBT Ic 80 A Uce 650 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 375 W
- Nr art. RS:
- 829-4666
- Nr części producenta:
- STGWT60H65DFB
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 08.05.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
19,49 zł
(bez VAT)
23,97 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 19,49 zł |
| 5 - 9 | 18,50 zł |
| 10 - 24 | 16,65 zł |
| 25 - 49 | 14,99 zł |
| 50 + | 14,27 zł |
- Nr art. RS:
- 829-4666
- Nr części producenta:
- STGWT60H65DFB
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 80 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 650 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 375 W |
| Typ opakowania | TO-3P |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |