IGBT Ic 46 A Uce 420 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 250 W
- Nr art. RS:
- 862-9362
- Nr części producenta:
- ISL9V5036S3ST
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 16.01.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
18,50 zł
(bez VAT)
22,76 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 18,50 zł | 92,52 zł |
| 10 - 95 | 15,68 zł | 78,39 zł |
| 100 - 245 | 12,54 zł | 62,69 zł |
| 250 - 495 | 11,83 zł | 59,13 zł |
| 500 + | 11,17 zł | 55,85 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 862-9362
- Nr części producenta:
- ISL9V5036S3ST
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 46 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 420 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±14V |
| Maksymalna strata mocy | 250 W |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |