- Nr art. RS:
- 877-2873
- Nr części producenta:
- STGF10NB60SD
- Producent:
- STMicroelectronics
30 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
6,11 zł
(bez VAT)
7,51 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
10 - 40 | 6,11 zł | 61,07 zł |
50 - 90 | 5,80 zł | 58,01 zł |
100 - 240 | 5,22 zł | 52,20 zł |
250 - 490 | 5,03 zł | 50,31 zł |
500 + | 4,91 zł | 49,05 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 877-2873
- Nr części producenta:
- STGF10NB60SD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 23 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 25 W |
Typ opakowania | TO-220FP |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 10.4 x 4.6 x 20mm |
Pojemność bramki | 610pF |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Energia znamionowa | 8mJ |