IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 200 W
- Nr art. RS:
- 877-2905
- Nr części producenta:
- STGW30NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 05.12.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
28,56 zł
(bez VAT)
35,13 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 28,56 zł | 142,79 zł |
| 10 - 95 | 24,27 zł | 121,37 zł |
| 100 - 495 | 19,42 zł | 97,11 zł |
| 500 - 995 | 17,27 zł | 86,36 zł |
| 1000 + | 14,60 zł | 72,99 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 877-2905
- Nr części producenta:
- STGW30NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 200 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.75 x 5.15 x 24.45mm |
| Energia znamionowa | 1435mJ |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Pojemność bramki | 2170pF |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 877-2905
- Nr części producenta:
- STGW30NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics