Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 6-Pin, Common Source,

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu 20 → 40mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 25 V
Maksymalne napięcie dren-bramka -25V
Konfiguracja Podwójna
Konfiguracja tranzystora Wspólne źródło
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania CPH
Liczba styków 6
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia 6pF
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia 2.3pF
Wymiary 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Szerokość 1.6mm
Wysokość 0.9mm
Długość 2.9mm
3000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
Było 3 851,18 zł
1,14
(bez VAT)
1,41
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
1,14 zł
3 432,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa