- Nr art. RS:
- 166-1831
- Nr części producenta:
- MMBFJ113
- Producent:
- onsemi
3000 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,39 zł
(bez VAT)
0,48 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
3000 + | 0,39 zł | 1 158,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 166-1831
- Nr części producenta:
- MMBFJ113
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 2mA |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -35 V |
Maksymalne napięcie dren-bramka | 35V |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 100 omów |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOT-23 |
Liczba styków | 3 |
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 28pF |
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 28pF |
Wymiary | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
Długość | 2.92mm |
Wysokość | 0.93mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Szerokość | 1.3mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 166-1831
- Nr części producenta:
- MMBFJ113
- Producent:
- onsemi