Tranzystor polowy złączowy, P-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MY
Szczegółowe dane produktu

P-channel JFET, Fairchild Semiconductor

Tranzystory JFET

Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu -2 → -15mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 15 V
Maksymalne napięcie bramka-źródło +30 V
Maksymalne napięcie dren-bramka -30V
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Konfiguracja Pojedyncza
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23
Liczba styków 3
Wymiary 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Długość 2.9mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 1.04mm
Szerokość 1.3mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
3000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
0,51
(bez VAT)
0,63
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 - 3000
0,51 zł
1 524,00 zł
6000 +
0,48 zł
1 440,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa