Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy, -55 → +150°C

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu 25 → 75mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalne napięcie bramka-źródło +30 V
Maksymalne napięcie dren-bramka 30V
Konfiguracja Pojedyncza
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalna rezystancja dren-źródło 60 Ω
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23
Liczba styków 3
Wymiary 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Szerokość 1.3mm
Długość 2.9mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Wysokość 0.94mm
Produkt wycofany