Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy, -55 → +150°C

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu 25 → 75mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalne napięcie bramka-źródło +30 V
Maksymalne napięcie dren-bramka 30V
Konfiguracja Pojedyncza
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalna rezystancja dren-źródło 60 Ω
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23
Liczba styków 3
Wymiary 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Wysokość 0.94mm
Długość 2.9mm
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Szerokość 1.3mm
330 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 10)
0,51
(bez VAT)
0,63
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 - 90
0,51 zł
5,11 zł
100 - 490
0,44 zł
4,40 zł
500 - 990
0,39 zł
3,91 zł
1000 - 4990
0,35 zł
3,51 zł
5000 +
0,32 zł
3,15 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: