- Nr art. RS:
- 626-3308
- Nr części producenta:
- PMBFJ308,215
- Producent:
- NXP
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
0,51 zł
(bez VAT)
0,63 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
10 - 40 | 0,51 zł | 5,13 zł |
50 - 90 | 0,46 zł | 4,64 zł |
100 - 240 | 0,44 zł | 4,37 zł |
250 - 490 | 0,41 zł | 4,14 zł |
500 + | 0,36 zł | 3,60 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 626-3308
- Nr części producenta:
- PMBFJ308,215
- Producent:
- NXP
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, NXP
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | 12 to 60mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V |
Maksymalne napięcie dren-bramka | -25V |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 50 omów |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOT-23 (TO-236AB) |
Liczba styków | 3 |
Wymiary | 3 x 1.4 x 1mm |
Minimalna temperatura robocza | -65 °C |
Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
Szerokość | 1.4mm |
Długość | 3mm |
Wysokość | 1mm |