Usługi
Industry Hub
Nowe produkty
Śledź przesyłkę
Zaloguj się
Zaloguj się
/
Zarejestruj się
aby uzyskać dostęp do korzyści
Menu
MPN
Ostatnio wyszukiwane
Dostęp, przechowywanie i przemieszczanie
Elementy złączne i mocujące
Instalacja wodno-kanalizacyjna
Kleje, uszczelniacze i taśmy
Materiały konstrukcyjne i drobne przemysłowe wyroby metalowe
Mechaniczne przeniesienie napędu
Narzędzia elektromechaniczne, lutowanie i spawanie
Narzędzia ręczne
Pneumatyka i hydraulika
Łożyska i uszczelki
Baterie i ładowarki
Elementy pasywne
Ochrona antystatyczna, Pomieszczenia sterylne i tworzenie prototypów płytek drukowanych
Półprzewodniki
Raspberry Pi, Arduino, ROCK i narzędzia rozwojowe
Urządzenia zasilające i transformatory
Wyświetlacze i optoelektronika
Złącza
Automatyka i sterowanie
Bezpieczniki i wyłączniki
HVAC, Wentylatory i systemy zarządzania ciepłem
Kable i przewody
Obudowy i szafy serwerowe
Oświetlenie
Przekaźniki i kondycjonowanie sygnałów
Przełączniki
Artykuły biurowe
Bezpieczeństwo i wyroby żelazne
Bezpieczeństwo pracy
Czyszczenie i konserwacja budynków
Komputery i urządzenia peryferyjne
Osobiste wyposażenie ochronne i odzież robocza
Technika pomiarowa
Półprzewodniki
Elementy dyskretne
Tranzystory JFET
Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-pinowy Pojedynczy
Nr art. RS:
626-3308P
Nr części producenta:
PMBFJ308,215
Producent:
NXP
Zobacz kategorię
Produkt wycofany
Nr art. RS:
626-3308P
Nr części producenta:
PMBFJ308,215
Producent:
NXP
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dane techniczne
PMBFJ308 PMBFJ309 N-channel silicon field-effect transistors Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
Zgodne z RoHS
Oświadczenie o zgodności
Kraj pochodzenia:
CN
N-channel JFET, NXP
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Atrybut
Parametr
Typ kanału
N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu
12 to 60mA
Maksymalne napięcie dren-źródło
25 V
Maksymalne napięcie bramka-źródło
-25 V
Maksymalne napięcie dren-bramka
-25V
Konfiguracja
Pojedyncza
Konfiguracja tranzystora
Pojedynczy
Maksymalna rezystancja dren-źródło
50 omów
Typ montażu
Montaż powierzchniowy
Typ opakowania
SOT-23 (TO-236AB)
Liczba styków
3
Wymiary
3 x 1.4 x 1mm
Długość
3mm
Szerokość
1.4mm
Wysokość
1mm
Maksymalna temperatura robocza
+150 °C
Minimalna temperatura robocza
-65 °C