Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 3-Pin, Pojedynczy

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

Tranzystory JFET

Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu Min. 5mA
Maksymalne napięcie bramka-źródło -35 V
Maksymalne napięcie dren-bramka 35V
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Konfiguracja Pojedyncza
Maksymalna rezystancja dren-źródło 50 Ω
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania SOT-23
Liczba styków 3
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia 28pF
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia 28pF
Wymiary 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Wysokość 0.93mm
Szerokość 1.3mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Długość 2.92mm
1100 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
1250 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 25)
1,20
(bez VAT)
1,47
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
25 - 225
1,20 zł
29,93 zł
250 - 725
0,55 zł
13,68 zł
750 - 1475
0,47 zł
11,85 zł
1500 - 2975
0,40 zł
10,03 zł
3000 +
0,36 zł
9,05 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: