Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Montaż powierzchniowy, 6-Pin, Common Source, Maks. +150°C

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu 20 → 40mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 25 V
Maksymalne napięcie dren-bramka -25V
Konfiguracja Podwójna
Konfiguracja tranzystora Wspólne źródło
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Typ opakowania CPH
Liczba styków 6
Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia 6pF
Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia 2.3pF
Wymiary 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Długość 2.9mm
Szerokość 1.6mm
Wysokość 0.9mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
110 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
220 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 10)
2,21
(bez VAT)
2,72
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 - 10
2,21 zł
22,09 zł
20 - 40
1,85 zł
18,54 zł
50 - 90
1,61 zł
16,06 zł
100 - 190
1,36 zł
13,57 zł
200 +
1,29 zł
12,91 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: