Tranzystor polowy złączowy, N-kanałowy, Otwór przezierny, 3-pinowy Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 806-1750
- Nr części producenta:
- J109
- Producent:
- onsemi
125 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
1225 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 25)
1,74 zł
(bez VAT)
2,15 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 25 - 75 | 1,74 zł | 43,60 zł |
| 100 - 475 | 1,31 zł | 32,63 zł |
| 500 - 975 | 1,02 zł | 25,43 zł |
| 1000 - 2475 | 0,82 zł | 20,53 zł |
| 2500 + | 0,72 zł | 18,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 806-1750
- Nr części producenta:
- J109
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Idss – prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu | min. 40mA |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka | 25V |
| Konfiguracja | Pojedyncza |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 12 omów |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ opakowania | TO-92 |
| Liczba styków | 3 |
| Reaktancja pojemnościowa dren-bramka w stanie włączenia | 85pF |
| Reaktancja pojemnościowa źródło-bramka w stanie włączenia | 85pF |
| Wymiary | 4.58 x 3.86 x 4.58mm |
| Szerokość | 3.86mm |
| Długość | 4.58mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 4.58mm |
- Nr art. RS:
- 806-1750
- Nr części producenta:
- J109
- Producent:
- onsemi