MOSFET N-kanałowy 1.2 A SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 806 mW 450 miliomów

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Cena netto szt. (na rolce)**. Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

1,54 zł

(bez VAT)

1,90 zł

(z VAT)

91950 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

Wysyłka standardowa

**cena orientacyjna

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	1.2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	SOT-23
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	450 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	3V
Maksymalna strata mocy	806 mW
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	3,2 nC przy 10 V
Szerokość	1.4mm
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Długość	3.05mm
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Wysokość	1mm