- Nr art. RS:
- 178-649
- Nr części producenta:
- RTU002P02T106
- Producent:
- ROHM
1930 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
0,32 zł
(bez VAT)
0,39 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
10 + | 0,32 zł | 3,19 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 178-649
- Nr części producenta:
- RTU002P02T106
- Producent:
- ROHM
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET P-Channel, ROHM
.
Tranzystory MOSFET, ROHM Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 250 mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 20 V |
Typ opakowania | TSMT-3 |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,5 oma |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
Maksymalna strata mocy | 200 mW |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +12 V |
Długość | 2.9mm |
Szerokość | 1.6mm |
Materiał tranzystora | Si |
Liczba elementów na układ | 1 |
Wysokość | 0.85mm |
- Nr art. RS:
- 178-649
- Nr części producenta:
- RTU002P02T106
- Producent:
- ROHM