MOSFET N-kanałowy 36 A SOT-227 1000 V Montaż na śrubie Pojedynczy 700 W 240 miliomów
- Nr art. RS:
- 193-795
- Nr części producenta:
- IXFN36N100
- Producent:
- IXYS
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 06.11.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
292,37 zł
(bez VAT)
359,62 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 1 | 292,37 zł |
| 2 - 4 | 277,74 zł |
| 5 + | 263,16 zł |
- Nr art. RS:
- 193-795
- Nr części producenta:
- IXFN36N100
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 36 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 1000 V |
| Typ opakowania | SOT-227 |
| Seria | HiperFET |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 240 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Maksymalna strata mocy | 700 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 380 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 38.23mm |
| Szerokość | 25.42mm |
| Wysokość | 9.6mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 193-795
- Nr części producenta:
- IXFN36N100
- Producent:
- IXYS