MOSFET N-kanałowy 150 A SOT-227 150 V Montaż na śrubie Pojedynczy 680 W 11 miliomów
- Nr art. RS:
- 194-259P
- Nr części producenta:
- IXFN180N15P
- Producent:
- IXYS
999999999 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
143 Dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto szt. (w tubie)
76,99 zł
(bez VAT)
94,70 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 5 - 19 | 76,99 zł |
| 20 - 49 | 68,15 zł |
| 50 - 99 | 65,31 zł |
| 100 + | 62,56 zł |
- Nr art. RS:
- 194-259P
- Nr części producenta:
- IXFN180N15P
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™
Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 150 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 150 V |
| Seria | HiperFET, Polar |
| Typ opakowania | SOT-227 |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 11 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Maksymalna strata mocy | 680 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 240 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Długość | 38.23mm |
| Szerokość | 25.42mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 9.6mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |