MOSFET N-kanałowy 40 A SOT-227 600 V Montaż na śrubie Pojedynczy 625 W 140 miliomów
- Nr art. RS:
- 194-473
- Nr części producenta:
- IXFN48N60P
- Producent:
- IXYS
3 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
12 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
126,59 zł
(bez VAT)
155,71 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 126,59 zł |
| 5 + | 103,91 zł |
- Nr art. RS:
- 194-473
- Nr części producenta:
- IXFN48N60P
- Producent:
- IXYS
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™
Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 40 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | SOT-227 |
| Seria | HiperFET, Polar |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 140 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5.5V |
| Maksymalna strata mocy | 625 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 150 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 38.23mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Szerokość | 25.42mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 9.6mm |
- Nr art. RS:
- 194-473
- Nr części producenta:
- IXFN48N60P
- Producent:
- IXYS