MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247 500 V Pojedynczy 400 W 230 miliomów
- Nr art. RS:
- 194-530
- Nr części producenta:
- IXFH26N50P
- Producent:
- IXYS
34 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
27 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
33,53 zł
(bez VAT)
41,24 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 33,53 zł |
| 5 - 9 | 32,81 zł |
| 10 - 14 | 31,86 zł |
| 15 - 19 | 31,50 zł |
| 20 + | 31,14 zł |
- Nr art. RS:
- 194-530
- Nr części producenta:
- IXFH26N50P
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™
Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 26 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 500 V |
| Seria | HiperFET, Polar |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 230 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5.5V |
| Maksymalna strata mocy | 400 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 16.26mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Szerokość | 5.3mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 60 nC przy 10 V |
| Wysokość | 21.46mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 194-530
- Nr części producenta:
- IXFH26N50P
- Producent:
- IXYS