MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 200 V Pojedynczy 90 W 160 miliomów
- Nr art. RS:
- 414-226
- Nr części producenta:
- STP19NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 28.08.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
5,27 zł
(bez VAT)
6,49 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 - 40 | 5,27 zł | 52,74 zł |
| 50 - 90 | 5,01 zł | 50,13 zł |
| 100 - 240 | 4,51 zł | 45,05 zł |
| 250 - 490 | 4,06 zł | 40,59 zł |
| 500 + | 3,85 zł | 38,52 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 414-226
- Nr części producenta:
- STP19NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 15 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Seria | STripFET |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 160 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 90 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 24 nC przy 10 V |
| Szerokość | 4.6mm |
| Długość | 10.4mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 9.15mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |