MOSFET N-kanałowy 160 A IPAK (TO-251) 30 V Pojedynczy 135 W 3 miliomy

Nr art. RS:: 495-760
Nr części producenta:: IRLU8743PBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 160 A IPAK (TO-251) 30 V Pojedynczy 135 W 3 miliomy

5 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

100 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 5)

6,47 zł

(bez VAT)

7,96 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
5 - 45	6,47 zł	32,36 zł
50 - 120	5,82 zł	29,12 zł
125 - 245	5,44 zł	27,18 zł
250 - 495	5,05 zł	25,25 zł
500 +	4,65 zł	23,27 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 495-760
Nr części producenta:: IRLU8743PBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy 30 V, Infineon

Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych. I wielkości obudowy, które mogą sprostać niemal każdemu wyzwaniu związanemu z projektem płyty głównej i projektem termicznym. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	160 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	IPAK (TO-251)
Seria	HEXFET
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	3 miliomy
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2.35V
Minimalne napięcie progowe VGS	1.35V
Maksymalna strata mocy	135 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Szerokość	2.39mm
Materiał tranzystora	Si
Maksymalna temperatura robocza	+175 °C
Długość	6.73mm
Liczba elementów na układ	1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	39 nC przy 4,5 V
Wysokość	6.22mm
Minimalna temperatura robocza	-55 °C

Nr art. RS:: 495-760
Nr części producenta:: IRLU8743PBF
Producent:: Infineon