MOSFET N-kanałowy 680 mA SOT-23 25 V SMD Pojedynczy 350 mW 450 miliomów

Nr art. RS:: 121-2747
Nr części producenta:: FDV303N
Producent:: onsemi

MOSFET N-kanałowy 680 mA SOT-23 25 V SMD Pojedynczy 350 mW 450 miliomów

700 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

8000 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Zobacz koszyk

Cena netto za szt. (opak. á 100)

0,50 zł

(bez VAT)

0,61 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
100 - 400	0,50 zł	49,60 zł
500 - 900	0,47 zł	47,20 zł
1000 - 1900	0,37 zł	37,30 zł
2000 - 2900	0,35 zł	35,30 zł
3000 +	0,25 zł	24,80 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 121-2747
Nr części producenta:: FDV303N
Producent:: onsemi

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie.

.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	680 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło	25 V
Typ opakowania	SOT-23
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	450 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	0.65V
Maksymalna strata mocy	350 mW
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	+8 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	1,64 nC przy 4,5 V
Długość	2.92mm
Szerokość	1.3mm
Wysokość	0.93mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 121-2747
Nr części producenta:: FDV303N
Producent:: onsemi