MOSFET N-kanałowy 25 A TO-3P 500 V Pojedynczy 150 W 240 mΩ
- Nr art. RS:
- 121-6897
- Nr części producenta:
- RJK5015DPK-00#T0
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
20,65 zł
(bez VAT)
25,40 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 20,65 zł |
| 5 - 9 | 17,76 zł |
| 10 - 49 | 15,50 zł |
| 50 - 99 | 13,99 zł |
| 100 + | 12,88 zł |
- Nr art. RS:
- 121-6897
- Nr części producenta:
- RJK5015DPK-00#T0
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET pod wysokim napięciem - 150 V i więcej, firmy Renesas Electronics
.
Tranzystory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 25 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 500 V |
| Typ opakowania | TO-3P |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 240 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 150 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | +30 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.8mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 15.6mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 66 nC przy 10 V |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.6V |
| Wysokość | 19.9mm |
- Nr art. RS:
- 121-6897
- Nr części producenta:
- RJK5015DPK-00#T0
- Producent:
- Renesas Electronics