MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2,5 A; 7,8 A SOIC 30 V SMD Pełny mostek 1,5 W 40 mΩ, 80 mΩ
- Nr art. RS:
- 122-3273
- Nr części producenta:
- DMHC3025LSD-13
- Producent:
- DiodesZetex
22500 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
2,36 zł
(bez VAT)
2,91 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2500 + | 2,36 zł | 5 910,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 122-3273
- Nr części producenta:
- DMHC3025LSD-13
- Producent:
- DiodesZetex
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dodatkowy tryb wzmacniający MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N, P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 2,5 A; 7,8 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 40 mΩ, 80 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 1,5 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pełny mostek |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 3.95mm |
| Liczba elementów na układ | 4 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 4.95mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 11,4 nC przy 10 V, 11,7 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.5mm |
- Nr art. RS:
- 122-3273
- Nr części producenta:
- DMHC3025LSD-13
- Producent:
- DiodesZetex