MOSFET N-kanałowy 70 A TO-220AB 60 V Pojedynczy 150 W 14 miliomów

Nr art. RS:: 124-1664
Nr części producenta:: RFP70N06
Producent:: onsemi

MOSFET N-kanałowy 70 A TO-220AB 60 V Pojedynczy 150 W 14 miliomów

Zobacz kategorię

150 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Cena netto za szt. (w tubie á 50)

6,37 zł

(bez VAT)

7,83 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Per Tube*
50 - 200	6,37 zł	318,40 zł
250 - 950	6,20 zł	310,15 zł
1000 - 2450	6,04 zł	302,20 zł
2500 +	5,89 zł	294,55 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 124-1664
Nr części producenta:: RFP70N06
Producent:: onsemi

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, o dużej gęstości komórek. Ten proces o dużej gęstości został zaprojektowany tak, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu, zapewnić solidną i niezawodną wydajność oraz szybkie przełączanie.

.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	70 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	TO-220AB
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	14 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	150 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ	1
Szerokość	4.83mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	120 nC przy 20 V
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Materiał tranzystora	Si
Długość	10.67mm
Wysokość	9.4mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 124-1664
Nr części producenta:: RFP70N06
Producent:: onsemi