MOSFET N-kanałowy 100 A LFPAK, SOT-669 25 V SMD Pojedynczy 272 W 1,25 milioma
- Nr art. RS:
- 124-2408
- Nr części producenta:
- PSMN0R9-25YLC,115
- Producent:
- Nexperia
3000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto za szt. (1500 na rolce)
5,11 zł
(bez VAT)
6,29 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 1500 + | 5,11 zł | 7 665,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-2408
- Nr części producenta:
- PSMN0R9-25YLC,115
- Producent:
- Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MOSFET, do 30 V.
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 100 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
| Typ opakowania | LFPAK, SOT-669 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,25 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1.95V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.05V |
| Maksymalna strata mocy | 272 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Długość | 5mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.1mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 110 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.1mm |
- Nr art. RS:
- 124-2408
- Nr części producenta:
- PSMN0R9-25YLC,115
- Producent:
- Nexperia