MOSFET N-kanałowy 30 A LFPAK 80 V SMD Pojedynczy 55 W 14 mΩ
- Nr art. RS:
- 124-3703
- Nr części producenta:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
5,04 zł
(bez VAT)
6,19 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 5 | 5,04 zł | 25,18 zł |
| 10 - 20 | 4,53 zł | 22,66 zł |
| 25 - 120 | 4,12 zł | 20,62 zł |
| 125 - 245 | 3,78 zł | 18,88 zł |
| 250 + | 3,49 zł | 17,44 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 124-3703
- Nr części producenta:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET niskonapięciowe N-Channel o napięciu do 140V, Renesas Electronics
.
Tranzystory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 30 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 80 V |
| Typ opakowania | LFPAK |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 4+Tab |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 14 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 55 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 28 nC przy 4,5 V |
| Szerokość | 3.95mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 5.3mm |
| Wysokość | 1.03mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.1V |
- Nr art. RS:
- 124-3703
- Nr części producenta:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Producent:
- Renesas Electronics