MOSFET N-kanałowy 63 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 140 W 16 miliomów

Nr art. RS:: 130-1020P
Nr części producenta:: IRLR3110ZTRLPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 63 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 140 W 16 miliomów

Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny

Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

6,46 zł

(bez VAT)

7,94 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę
5 +	6,46 zł

Nr art. RS:: 130-1020P
Nr części producenta:: IRLR3110ZTRLPBF
Producent:: Infineon

IRLR3110ZPbF, IRLU3110ZPbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	63 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	100 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	16 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	140 W
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-16 V, +16 V
Szerokość	9.65mm
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	34 nC przy 4,5 V
Długość	10.67mm
Liczba elementów na układ	1
Napięcie przewodzenia diody	1.3V
Wysokość	4.83mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

MOSFET N-kanałowy 63 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 140 W 16 miliomów

Tranzystor MOSFET o mocy wyjściowej 100 V, Infineon, niekanałowy

.