MOSFET N-kanałowy NDFPD1N150CG 1500 V 200 mA 3-Pin TO-220F Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

MOSFET o zasilaniu N-Channel, od 100V do 1700V, ON Semiconductor

Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 200 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 1500 V
Typ opakowania TO-220F
Typ montażu Otwór przezierny
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 150 Ω
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V
Maksymalna strata mocy 20 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V
Liczba elementów na układ 1
Materiał tranzystora Si
Długość 28.85mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 4.7mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 4,2 nC przy 10 V
Szerokość 10.16mm
450 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 50)
5,41
(bez VAT)
6,65
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
50 +
5,41 zł
270,45 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa