MOSFET N-kanałowy IRFB4020PBF 200 V 18 A 3-Pin TO-220AB

  • Nr art. RS 145-8608
  • Nr części producenta IRFB4020PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MX
Szczegółowe dane produktu

Cyfrowy MOSFET audio, Infineon

Wzmacniacze klasy D są szybko najlepszym rozwiązaniem dla profesjonalnych i domowych systemów audio i wideo. Infineon oferuje szeroką gamę, która upraszcza konstrukcję wzmacniacza klasy D o wysokiej wydajności.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 18 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 200 V
Typ opakowania TO-220AB
Typ montażu Otwór przezierny
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 100 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 4.9V
Minimalne napięcie progowe VGS 3V
Maksymalna strata mocy 100 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 4.82mm
Seria HEXFET
Materiał tranzystora Si
Maksymalna temperatura robocza +175°C
Długość 10.66mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 18 nC przy 10 V
Minimalna temperatura robocza -55°C
Wysokość 9.02mm
1400 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 50)
5,07
(bez VAT)
6,24
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
50 +
5,07 zł
253,65 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa