MOSFET N-kanałowy IRFB4020PBF 200 V 18 A 3-Pin TO-220AB

  • Nr art. RS 145-8608
  • Nr części producenta IRFB4020PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MX
Szczegółowe dane produktu

Digital Audio MOSFET, Infineon

Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 18 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 200 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 100 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 4.9V
Minimalne napięcie progowe VGS 3V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania TO-220AB
Typ montażu Otwór przezierny
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 3
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 100 W
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 18 nC przy 10 V
Wysokość 9.02mm
Seria HEXFET
Maksymalna temperatura robocza +175°C
Szerokość 4.82mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Długość 10.66mm
Materiał tranzystora Si
Liczba elementów na układ 1
1500 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 50)
5,27
(bez VAT)
6,48
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
50 +
5,27 zł
263,25 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa