MOSFET N-kanałowy 7,3 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 32 W 600 miliomów

Nr art. RS:: 145-8630
Nr części producenta:: SPA07N60C3XKSA1
Producent:: Infineon

Dane techniczne (2)

MOSFET N-kanałowy 7,3 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 32 W 600 miliomów

Zobacz kategorię

Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny

Cena netto za szt. (w tubie á 50)

6,68 zł

(bez VAT)

8,22 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę	Per Tube*
50 +	6,68 zł	334,10 zł

*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 145-8630
Nr części producenta:: SPA07N60C3XKSA1
Producent:: Infineon

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	7,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	650 V
Typ opakowania	TO-220 FP
Seria	CoolMOS™ C3
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	600 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	3.9V
Minimalne napięcie progowe VGS	2.1V
Maksymalna strata mocy	32 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Długość	10.65mm
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Liczba elementów na układ	1
Szerokość	4.85mm
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	21 nC przy 10 V
Wysokość	9.83mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

MOSFET N-kanałowy 7,3 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 32 W 600 miliomów

Dane techniczne (2)

Infineon CoolMOS™ C3 Moc

.