MOSFET N-kanałowy 4,2 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,25 W 80 miliomów

Nr art. RS:: 162-3304P
Nr części producenta:: IRLML2502TRPBF
Producent:: International Rectifier

MOSFET N-kanałowy 4,2 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,25 W 80 miliomów

Zobacz kategorię

91580 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Zobacz koszyk

Cena netto szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

1,11 zł

(bez VAT)

1,37 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit
200 - 480	1,11 zł
500 - 980	1,03 zł
1000 - 1980	0,67 zł
2000 +	0,52 zł

Nr art. RS:: 162-3304P
Nr części producenta:: IRLML2502TRPBF
Producent:: International Rectifier

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Niezgodne

Szczegółowe dane produktu

Pojedynczy tranzystor mocy MOSFET HEXFET kanałem N 20 V w obudowie Micro 3

Układ styków zgodny ze standardami przemysłowymi, obudowa SOT-23
Zgodność z istniejącymi technikami montażu powierzchniowego, bez zawartości halogenu
Zgodność z produktami od wielu dostawców
Łatwiejsza produkcja
Przyjazne dla środowiska
Zwiększona niezawodność

.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	4,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	20 V
Seria	IRLML2502
Typ opakowania	SOT-23
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	80 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	1.2V
Minimalne napięcie progowe VGS	0.6V
Maksymalna strata mocy	1,25 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	±12 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Szerokość	1.4mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	8 nC przy 5 V
Długość	3.04mm
Liczba elementów na układ	1
Napięcie przewodzenia diody	1.2V
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	1.02mm

Nr art. RS:: 162-3304P
Nr części producenta:: IRLML2502TRPBF
Producent:: International Rectifier