MOSFET N-kanałowy 60 A SON 25 V SMD Pojedynczy 3 W 7.8 mΩ
- Nr art. RS:
- 162-8530
- Nr części producenta:
- CSD16340Q3
- Producent:
- Texas Instruments
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
1,87 zł
(bez VAT)
2,31 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę | Na rolki* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | 1,87 zł | 4 685,00 zł |
| 12500 + | 1,83 zł | 4 567,50 zł |
*cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 162-8530
- Nr części producenta:
- CSD16340Q3
- Producent:
- Texas Instruments
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
.
Tranzystory MOSFET, Texas Instruments
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 60 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 25 V |
| Typ opakowania | SON |
| Seria | NexFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7.8 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1.1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.6V |
| Maksymalna strata mocy | 3 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 3.4mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 6,5 nC przy 4,5 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 3.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.1mm |