MOSFET N-kanałowy 204 A VSON-CLIP 40 V SMD Pojedynczy 3,2 W 3.3 mΩ
- Nr art. RS:
- 162-8551
- Nr części producenta:
- CSD18502Q5B
- Producent:
- Texas Instruments
1775 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
5,53 zł
(bez VAT)
6,80 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę | Na rolki* |
|---|---|---|
| 2500 + | 5,53 zł | 13 812,50 zł |
*cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 162-8551
- Nr części producenta:
- CSD18502Q5B
- Producent:
- Texas Instruments
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
.
Tranzystory MOSFET, Texas Instruments
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 204 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Typ opakowania | VSON-CLIP |
| Seria | NexFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 3.3 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.2V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.5V |
| Maksymalna strata mocy | 3,2 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 25 nC przy 4,5 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 5.1mm |
| Długość | 6.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 1.05mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |