MOSFET N-kanałowy 5,3 A D2PAK (TO-263) 1700 V SMD Pojedynczy 78 W 1.4 Ω
- Nr art. RS:
- 162-9710
- Nr części producenta:
- C2M1000170J
- Producent:
- Wolfspeed
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 20.01.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
36,07 zł
(bez VAT)
44,37 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 + | 36,07 zł | 1 803,50 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 162-9710
- Nr części producenta:
- C2M1000170J
- Producent:
- Wolfspeed
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zapewniają najlepszą w branży gęstość mocy i wydajność przełączania. Te urządzenia o niskiej pojemności umożliwiają wyższe częstotliwości przełączania i obniżają wymagania w zakresie chłodzenia, zwiększając ogólną efektywność działania systemu.
• Technologia N-channel SiC w trybie wzbogacania
• Wysokie napięcie przebicia - do 1200 V.
• Wiele urządzeń jest łatwych w obsłudze i równoległych
• Szybkie przełączanie z małą opornością
• Działanie odporne na zapięcie
• Wysokie napięcie przebicia - do 1200 V.
• Wiele urządzeń jest łatwych w obsłudze i równoległych
• Szybkie przełączanie z małą opornością
• Działanie odporne na zapięcie
.
Tranzystory MOSFET Wolfspeed
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 5,3 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 1700 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 7 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1.4 Ω |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 78 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -10 V; +25 V |
| Materiał tranzystora | SiC |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 10.23mm |
| Szerokość | 10.99mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 13 nC przy 20 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 4.57mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 3.8V |
- Nr art. RS:
- 162-9710
- Nr części producenta:
- C2M1000170J
- Producent:
- Wolfspeed