MOSFET P-kanałowy NTMS4177PR2G 30 V 11,4 A 8-Pin SOIC SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: PH
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 11,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 19 miliomów
Maksymalne napięcie progowe VGS 2.5V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 2,5 W
Wymiary 5 x 4 x 1.5mm
Długość 5mm
Wysokość 1.5mm
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 3100 pF przy -24 V
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 64 ns
Materiał tranzystora Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 29 nC przy 4,5 V
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Typowy czas opóźnienia włączenia 18 ns
Minimalna temperatura robocza -55°C
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 4mm
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 05.06.2019, dostawa w ciągu 2 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (2500 na rolce)
1,36
(bez VAT)
1,67
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 +
1,36 zł
3 387,50 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa