MOSFET P-kanałowy NTMS4177PR2G 30 V 11,4 A 8-Pin SOIC SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: PH
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 11,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 19 miliomów
Maksymalne napięcie progowe VGS 2.5V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2,5 W
Minimalna temperatura robocza -55°C
Materiał tranzystora Si
Liczba elementów na układ 1
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 1.5mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 29 nC przy 4,5 V
Szerokość 4mm
Długość 5mm
7500 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (2500 na rolce)
Było 3 387,61 zł
1,21
(bez VAT)
1,49
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 +
1,21 zł
3 017,50 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa