MOSFET N-kanałowy 45 A D2PAK (TO-263) 250 V SMD Pojedynczy 3,75 W 58 miliomów
- Nr art. RS:
- 165-2794
- Nr części producenta:
- SUM45N25-58-E3
- Producent:
- Vishay
800 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (800 na rolce)
13,73 zł
(bez VAT)
16,88 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 800 + | 13,73 zł | 10 981,60 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-2794
- Nr części producenta:
- SUM45N25-58-E3
- Producent:
- Vishay
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- TW
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 45 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 250 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 58 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 3,75 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 9.65mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 95 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 10.41mm |
| Wysokość | 4.83mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 165-2794
- Nr części producenta:
- SUM45N25-58-E3
- Producent:
- Vishay