MOSFET N-kanałowy 4,3 A SOIC 60 V SMD Izolacja 2 W 58 miliomów
- Nr art. RS:
- 165-3003
- Nr części producenta:
- SI4900DY-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
2,03 zł
(bez VAT)
2,50 zł
(z VAT)
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 06.02.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Na rolki** |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,03 zł | 5 077,50 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 165-3003
- Nr części producenta:
- SI4900DY-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 4.3 A SOIC 60 V SMD Izolacja 2 W 58 miliomów
- MOSFET P-kanałowy 4 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 58 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 67 W 52 miliomy
- MOSFET N-kanałowy 51 W 72 miliomy
- MOSFET P-kanałowy 8 A SOIC 30 V SMD Izolacja 5 W 41 miliomów
- MOSFET P-kanałowy 62 W 34 miliomy
- MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 6 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 140 mΩ
- MOSFET N-kanałowy 20 A PowerPAK SO-8 40 V SMD Izolacja 15,6 W 22 miliomy