MOSFET Typ P-kanałowy 250 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 1 W Microchip 15 Ω
- Nr art. RS:
- 165-4218
- Nr części producenta:
- VP2106N3-G
- Producent:
- Microchip
Suma częściowa (1 opakowanie po 1000 sztuk/i)*
1 933,00 zł
(bez VAT)
2 378,00 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
Tymczasowo niedostępny
- 2000 szt. dostępne od 24 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,933 zł | 1 933,00 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 165-4218
- Nr części producenta:
- VP2106N3-G
- Producent:
- Microchip
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ P | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 250mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 60V | |
| Typ obudowy | TO-92 | |
| Typ montażu | Otwór przelotowy | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 15Ω | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Napięcie przewodzenia Vf | -1.2V | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 1W | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Szerokość | 4.06 mm | |
| Wysokość | 5.33mm | |
| Długość | 5.08mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | No | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ P | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 250mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 60V | ||
Typ obudowy TO-92 | ||
Typ montażu Otwór przelotowy | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 15Ω | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Napięcie przewodzenia Vf -1.2V | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 1W | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Szerokość 4.06 mm | ||
Wysokość 5.33mm | ||
Długość 5.08mm | ||
Normy/Zatwierdzenia No | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- PH
Tranzystory MOSFET Supertex P-Channel Enhancement Mode
Tranzystory DMOS FET z Microchip z serii Supertex w trybie usprawniania kanału P (normalnie wyłączony) są przystosowane do szerokiego zakresu zastosowań przełączających i wzmacniających, wymagających niskiego napięcia progowej, wysokiego napięcia awarii, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej pojemności wejściowej i szybkich przełączeń.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Powiązane linki
- MOSFET Typ P-kanałowy 250 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 1 W Microchip 15 Ω VP2106N3-G
- MOSFET Typ P-kanałowy 175 mA TO-92 40 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 10 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 175 mA TO-92 40 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 10 Ω TP2104N3-G
- Pojedyncze tranzystory MOSFET Typ P-kanałowy 280 mA TO-92 80 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 1 W Microchip 5 Ω
- MOSFET Typ P-kanałowy 280 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 700 mW DiodesZetex 5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 300 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 740 mW Microchip 5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 310 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 1 W Microchip 7.5 Ω
- MOSFET Typ N-kanałowy 230 mA TO-92 60 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 1 W Microchip 7.5 Ω
