MOSFET P-kanałowy 250 mA TO-92 60 V Pojedynczy 1 W 15 omów
- Nr art. RS:
- 165-4218
- Nr części producenta:
- VP2106N3-G
- Producent:
- Microchip
2000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w opak. á 1000)
2,05 zł
(bez VAT)
2,52 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Bag* |
| 1000 + | 2,05 zł | 2 046,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 165-4218
- Nr części producenta:
- VP2106N3-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- PH
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET Supertex P-Channel Enhancement Mode
Tranzystory DMOS FET z Microchip z serii Supertex w trybie usprawniania kanału P (normalnie wyłączony) są przystosowane do szerokiego zakresu zastosowań przełączających i wzmacniających, wymagających niskiego napięcia progowej, wysokiego napięcia awarii, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej pojemności wejściowej i szybkich przełączeń.
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 250 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | TO-92 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 15 omów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.5V |
| Maksymalna strata mocy | 1 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 4.06mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 5.08mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 5.33mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Napięcie przewodzenia diody | 2V |
- Nr art. RS:
- 165-4218
- Nr części producenta:
- VP2106N3-G
- Producent:
- Microchip