MOSFET N-kanałowy 18 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 150 W 150 miliomów

Nr art. RS:: 165-5658
Nr części producenta:: IRF640NSTRLPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 18 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 150 W 150 miliomów

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Cena netto za szt. (800 na rolce)**

3,10 zł

(bez VAT)

3,81 zł

(z VAT)

800 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*

* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.

BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł

Wysyłka standardowa

Produkty	Za jednostkę	Na Rolki**
800 - 800	3,10 zł	2 480,80 zł
1600 - 1600	2,95 zł	2 356,80 zł
2400 +	2,76 zł	2 208,00 zł

**cena orientacyjna

Nr art. RS:: 165-5658
Nr części producenta:: IRF640NSTRLPBF
Producent:: Infineon

N-Channel Power MOSFET o napięciu od 150V do 600V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

Tranzystor MOSFET z serii HEXFET firmy Infineon, maksymalny ciągły prąd drenu 18 A, maksymalne rozproszenie mocy 150 W - IRF640NSTRLPBF

Ten tranzystor MOSFET jest niezbędny do wydajnego zarządzania energią w różnych zastosowaniach, kontrolując przepływ prądu elektrycznego w obwodach w celu zapewnienia wydajności i niezawodności. Jego solidne specyfikacje sprawiają, że jest on szczególnie odpowiedni do systemów automatyki i elektroniki we współczesnej elektronice.

Cechy i zalety

• Konfiguracja N-kanałowa obsługuje pracę w trybie rozszerzonym
• Maksymalny ciągły prąd drenu 18 A
• Szczytowe napięcie dren-źródło 200 V dla różnorodnych zastosowań
• Pakiet D2PAK zaprojektowany do wygodnego montażu powierzchniowego
• Niski Rds(on) wynoszący 150 mΩ zmniejsza straty energii podczas pracy
• Wysoka maksymalna temperatura pracy +175°C dla różnych środowisk

Zastosowania

• Zarządzanie energią w elektronice samochodowej
• Przemysłowe zasilacze dla systemów automatyki
• Sterowanie silnikiem w różnych sektorach
• Systemy energii odnawialnej do konwersji energii
• Konstrukcje falowników wysokiej częstotliwości

Jakie jest maksymalne napięcie dren-źródło?

Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 200 V, co zapewnia elastyczność w zastosowaniach wysokonapięciowych.

Jak zarządzane jest rozpraszanie ciepła podczas pracy?

Ten tranzystor MOSFET oferuje zdolność rozpraszania mocy na poziomie 150 W, a jego konstrukcja sprzyja efektywnemu zarządzaniu ciepłem przy dużych obciążeniach.

Jakie są konsekwencje zakresu napięcia progowego bramki?

Dzięki maksymalnemu napięciu progowemu bramki wynoszącemu 4 V i minimalnemu 2 V, oferuje inżynierom wszechstronny zakres zastosowań przełączających.

Czy ten komponent może być używany w konfiguracjach równoległych?

Tak, można je łatwo łączyć równolegle ze względu na niską rezystancję włączenia, dzięki czemu nadają się do zastosowań wysokoprądowych.

Jak należy go lutować, aby uzyskać optymalną wydajność?

Temperatura lutowania nie powinna przekraczać 300°C przez 10 sekund, aby zapewnić prawidłową instalację bez uszkodzenia tranzystora MOSFET.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	18 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	200 V
Seria	HEXFET
Typ opakowania	D2PAK (TO-263)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	150 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	150 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Szerokość	9.65mm
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	67 nC przy 10 V
Materiał tranzystora	Si
Długość	10.67mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	4.83mm